美光科技第一船样品混合记忆体立方体 - 新闻资讯

美光科技第一船样品混合记忆体立方体
发布时间：2013-9-28 10:17:47

爱达荷州博伊西， 2013年9月25日（ GLOBE NEWSWIRE ） - 美光科技公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布，它是航运2GB混合记忆体立方体（ HMC ）的工程样品。 HMC是一个巨大的进步在内存技术，而这些工程样品是世界上第一个HMC设备与领先客户广泛地分享。 HMC是专为需要高带宽的内存访问，包括数据包处理，数据包缓冲或存储和计算应用，如处理器加速器的应用。美光预计HMC后代迁移到消费者在三到五年内的应用。

本新闻稿所附的照片是在http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=21136

一个行业的突破， HMC采用了先进的硅通孔（ TSV）技术的垂直管道电连接一个单独的芯片堆栈，结合高性能的逻辑与Micron的国家的最先进的DRAM 。美光HMC提供了2GB内存立方体所组成的4个4Gb DRAM裸片堆叠的。该解决方案提供了前所未有的160 GB / s的内存带宽，同时使用高达70 ％的每比特能量与现有技术相比，大大降低了客户的总拥有成本（ TCO ）。

“混合式记忆体立方体是行业的过去的方法，打破了智能修复，并开辟了新的可能性， ”内存在客观分析的分析师Jim Handy表示。 “虽然DRAM内部带宽成倍增加，随着逻辑数据的渴求，当前的期权提供有限的处理器到内存带宽，并消耗大量的电力。 HMC是一个令人兴奋的选择。”

HMC的抽象记忆，使设计人员能够投入更多的时间来利用HMC的革命性的功能和性能，更少的时间来浏览大量的内存需要实现的基本功能参数。它还管理纠错，弹性，刷新和存储过程的变化加剧了其他参数。

系统设计人员正在寻找新的存储系统设计，以支持对带宽需求的增加，密度和电源效率， “ Micron的DRAM解决方案集团副总裁Brian Shirley说。 ” “ HMC代表内存性能的新标准，它是我们的客户一直在等待突破。 ”

HMC已经公认的行业领导者和有影响力的DRAM和处理器的数据消耗率性能的改善率之间的差距越来越期待已久的答案。美光HMC内存最近被评为年度产品通过领先的电子出版物， EDN和EE时报。